Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STP12NM50
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.37mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 25,43
€ 5,087 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 25,43
€ 5,087 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STP12NM50
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.37mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No


