Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
STP12NM50
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température d'utilisation minimum
-65°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 25,48
€ 5,096 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 25,48
€ 5,096 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
STP12NM50
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
350mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température d'utilisation minimum
-65°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No


