MOSFET canal Type N STMicroelectronics 11 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M2 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
MDmesh M2
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 063,99
€ 1,064 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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