MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 11 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 069,03
€ 1,069 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
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No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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