MOSFET N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F3
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET F3
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
310W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,10
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 14,10
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET F3
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
310W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.