MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
STripFET F3
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
310 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.35mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 208,10
€ 1,208 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
9.35mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Pays d'origine
Malaysia
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