MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 75 V, 3 broches

N° de stock RS: 687-5096Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB140NF75T4
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

120 A

Tension Drain Source maximum

75 V

Séries

STripFET F3

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

310 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

160 nC @ 10 V

Largeur

9.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

4.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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N

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75 V

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

310 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

160 nC @ 10 V

Largeur

9.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

4.6mm

Température de fonctionnement minimum

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