MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 120 A Enrichissement 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET F3
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
310W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 217,99
€ 1,218 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
310W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Température de fonctionnement maximale
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Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
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