MOSFET N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F3
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET F3
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
310W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,97
€ 1,485 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 2,97
€ 1,485 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 1,485 | € 2,97 |
| 4+ | € 1,41 | € 2,82 |
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Séries
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Surface
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Mode de canal
Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
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No
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