Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
STripFET
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,10
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 7,10
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Série
STripFET
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


