MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Série
STripFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Longueur
10.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
85 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.6mm
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 906,81
€ 1,907 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Longueur
10.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
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