Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
330W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Tension directe Vf
1.5V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,16
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 7,16
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
330W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Tension directe Vf
1.5V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


