MOSFET N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Séries
STripFET
Type de Boitier
TO-263
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
330W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
10.4 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,14
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
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Surface
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