Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-263
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20nC
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
9.35mm
Normes/homologations
No
Höhe
4.6mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,50
€ 2,899 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 14,50
€ 2,899 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,899 | € 14,50 |
| 10 - 95 | € 2,467 | € 12,34 |
| 100 - 495 | € 1,934 | € 9,67 |
| 500+ | € 1,633 | € 8,17 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-263
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20nC
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
9.35mm
Normes/homologations
No
Höhe
4.6mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101


