Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Série
MDmesh
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
4.6mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 45,33
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 45,33
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Série
MDmesh
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
4.6mm
Détails du produit


