Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 54,20
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 54,20
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


