MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 17 A Enrichissement 650 V, 3 broches STB24NM60N

N° de stock RS: 760-9499PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB24NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Séries

MDmesh

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Tension directe Vf

1.6V

Température de fonctionnement maximum

150°C

Largeur

10.4 mm

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Séries

MDmesh

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Surface

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Tension directe Vf

1.6V

Température de fonctionnement maximum

150°C

Largeur

10.4 mm

Hauteur

4.6mm

Longueur

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