MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh

N° de stock RS: 760-9499PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB24NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.75mm

Taille

4.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 46,24

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 46,24
11€ 50,86
12€ 55,48
13€ 60,11
14€ 64,73
15€ 69,35
16€ 73,98
17€ 78,60
18€ 83,22
19€ 87,85
20€ 92,47
21€ 97,09
22€ 101,72
23€ 106,34
24€ 110,96

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3

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190mΩ

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