MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 35 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
STripFET II
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.35mm
Longueur
10.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 602,34
€ 0,602 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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Longueur
10.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Pays d'origine
Malaysia
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