MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 35 A Enrichissement 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximum
175°C
Normes/homologations
No
Longueur
10.4mm
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 553,42
€ 0,553 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 553,42
€ 0,553 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximum
175°C
Normes/homologations
No
Longueur
10.4mm
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.