MOSFET canal Type N STMicroelectronics 25 A 600 V Épuisement, 3 broches, TO-263 ST Non

N° de stock RS: 202-5495Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB33N60DM6
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-263

Série

ST

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.115Ω

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Température d'utilisation minimale

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

60°C

Longueur

10.4mm

Taille

15.85mm

Normes/homologations

IEC 60664-1

Standard automobile

No

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Tout voir dans Transistors MOSFET

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 3 015,97

€ 3,016 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

MOSFET canal Type N STMicroelectronics 25 A 600 V Épuisement, 3 broches, TO-263 ST Non

€ 3 015,97

€ 3,016 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

MOSFET canal Type N STMicroelectronics 25 A 600 V Épuisement, 3 broches, TO-263 ST Non

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-263

Série

ST

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.115Ω

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Température d'utilisation minimale

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

60°C

Longueur

10.4mm

Taille

15.85mm

Normes/homologations

IEC 60664-1

Standard automobile

No

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus