MOSFET canal Type N STMicroelectronics 40 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 847,16
€ 2,847 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
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