MOSFET N STMicroelectronics 7 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
7A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
630mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.37mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 5 741,84
€ 5,742 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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