MOSFET N STMicroelectronics 7 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
7A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
630mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Taille
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5 633,42
€ 5,633 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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TO-263
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Surface
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
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