MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 35 A Enrichissement 710 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
78mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
1.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 4 482,37
€ 4,482 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Séries
MDmesh M5
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
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1.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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