MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 4,5 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.5 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh M2
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1,2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.35mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil minimale de la grille
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.35mm
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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