Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,29
€ 2,077 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 33,29
€ 2,077 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,077 | € 4,15 |
| 100 - 198 | € 1,584 | € 3,17 |
| 200+ | € 1,415 | € 2,83 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit