MOSFET N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Taille
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 24,55
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Série
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Surface
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3
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2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
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140W
Température d'utilisation minimum
-55°C
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1.6V
Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.4mm
Taille
4.6mm
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