MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 5.8 A Enrichissement 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 248,92
€ 1,249 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 248,92
€ 1,249 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.