MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 70 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Séries
STripFET F3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 4,5 V
Longueur
10.75mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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N
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D2PAK (TO-263)
Séries
STripFET F3
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 4,5 V
Longueur
10.75mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
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