MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
135nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,24
€ 3,119 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
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Surface
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe Vf
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
135nC
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Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
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No
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