MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Série
STripFET II
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Largeur
9.35mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,34
€ 3,67 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Série
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Largeur
9.35mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
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