MOSFET N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
142nC
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,02
€ 3,003 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 15,02
€ 3,003 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,003 | € 15,02 |
| 25 - 45 | € 2,821 | € 14,10 |
| 50 - 120 | € 2,671 | € 13,35 |
| 125 - 245 | € 2,523 | € 12,61 |
| 250+ | € 2,407 | € 12,04 |
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Type N
Courant continu de Drain maximum Id
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TO-263
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
142nC
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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