MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 55 V, 3 broches

N° de stock RS: 188-8527Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB80NF55-06T4
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

80 A

Tension Drain Source maximum

55 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

300 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

142 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

9.35mm

Taille

4.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

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€ 18,75

€ 3,75 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 55 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 18,75
10€ 37,50
15€ 56,25
20€ 75,00
25€ 88,09
30€ 105,70
35€ 123,32
40€ 140,94
45€ 158,56
50€ 166,70
55€ 183,36
60€ 200,03
65€ 216,70
70€ 233,37
75€ 250,04

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 3,75€ 18,75
25 - 45€ 3,523€ 17,62
50 - 120€ 3,334€ 16,67
125 - 245€ 3,151€ 15,76
250+€ 3,006€ 15,03

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N

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80 A

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55 V

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Nombre de broche

3

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6,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

300 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

142 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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