MOSFET N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 052,30
€ 1,052 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 052,30
€ 1,052 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.