MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 80 A Enrichissement 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 057,57
€ 1,058 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
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No
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