MOSFET N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,12
€ 1,061 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 2,12
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 1,061 | € 2,12 |
| 4+ | € 1,026 | € 2,05 |
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Série
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
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300W
Température d'utilisation minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Hauteur
4.6mm
Longueur
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No
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