MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 80 A Enrichissement 55 V, 3 broches STB80NF55L-06T4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,12
€ 1,06 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 2,12
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 1,06 | € 2,12 |
| 4+ | € 1,031 | € 2,06 |
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Type N
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TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
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No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
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