MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 80 A Enrichissement 100 V, 3 broches STD100N10F7

N° de stock RS: 786-3592PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD100N10F7
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Séries

STripFET H7

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Tension directe Vf

1.2V

Température maximum de fonctionnement

175°C

Largeur

6.2 mm

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,68

€ 1,736 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 80 A Enrichissement 100 V, 3 broches STD100N10F7
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Production -

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5

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5€ 8,68
10€ 17,36
15€ 26,04
20€ 34,72
25€ 43,39
30€ 52,07
35€ 60,75
40€ 69,43
45€ 78,11
50€ 86,79
55€ 95,47
60€ 104,15
65€ 112,82
70€ 121,50
75€ 130,18

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Surface

Nombre de broches

3

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8mΩ

Mode de canal

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Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

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Tension directe Vf

1.2V

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Largeur

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Hauteur

2.4mm

Longueur

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No

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