Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET H7
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
120W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,67
€ 1,734 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 8,67
€ 1,734 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET H7
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
120W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
