MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 786-3606PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD10N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

7.5 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

600 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

85 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

13,5 nC při 10 V

Šířka

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Série

MDmesh M2

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.4mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Prix ​​sur demande

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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CMS

Nombre de broche

3

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600 mΩ

Mode de canal

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4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

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85 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

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1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

13,5 nC při 10 V

Šířka

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Série

MDmesh M2

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.4mm

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