Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15,3 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,02
€ 0,502 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 5,02
€ 0,502 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15,3 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


