Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
STripFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,3 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
6.2mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.4mm
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 139,34
€ 0,456 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 139,34
€ 0,456 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
STripFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,3 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
6.2mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.4mm
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