MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 168-7461Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD10NF10T4
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Série

STripFET

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

130 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

50 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

15,3 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

6.2mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

2.4mm

Détails du produit

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 1 139,34

€ 0,456 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches

€ 1 139,34

€ 0,456 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Série

STripFET

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

130 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

50 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

15,3 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

6.2mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

2.4mm

Détails du produit

Canal N STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus