MOSFET STMicroelectronics canal P, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7.45mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.38mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 994,44
€ 0,398 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil minimale de la grille
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30 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Largeur
7.45mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.38mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
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