MOSFET canal Type P STMicroelectronics 10 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
7.45 mm
Hauteur
2.38mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 009,84
€ 0,404 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
7.45 mm
Hauteur
2.38mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
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No
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China
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