MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 10 A Enrichissement 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 210-8739Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD12N60DM6
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

390mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température maximum de fonctionnement

150°C

Largeur

6.2 mm

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

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€ 2 377,45

€ 0,951 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 10 A Enrichissement 600 V, 3 broches

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Surface

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3

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390mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température maximum de fonctionnement

150°C

Largeur

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