MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
390mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 370,85
€ 0,948 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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