MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 12 A Enrichissement 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
±16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
6.6 mm
Longueur
10.1mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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€ 1 197,36
€ 0,479 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
±16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
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Largeur
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