MOSFET N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7.5nC
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.1mm
Taille
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,60
€ 0,66 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
10
€ 6,60
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,66 | € 6,60 |
| 100 - 240 | € 0,625 | € 6,25 |
| 250 - 490 | € 0,581 | € 5,81 |
| 500 - 990 | € 0,535 | € 5,35 |
| 1000+ | € 0,514 | € 5,14 |
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Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
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TO-252
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7.5nC
Température d'utilisation minimum
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Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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