MOSFET canal Type N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET II
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.1Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS Compliant
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,67
€ 0,833 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
20
€ 16,67
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Standard
20
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,833 | € 16,66 |
| 200 - 480 | € 0,792 | € 15,83 |
| 500 - 980 | € 0,733 | € 14,66 |
| 1000 - 1980 | € 0,675 | € 13,50 |
| 2000+ | € 0,65 | € 13,00 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
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60V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET II
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.1Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
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