MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 11 A, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
360 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
2.17mm
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€ 2 156,22
€ 0,862 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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5V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
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1
Largeur
6.2mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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