MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 10 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Série
MDmesh M2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
430 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
17 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 951,94
€ 0,781 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
17 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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