MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Séries
MDmesh II
Type de Boitier
TO-252
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.36Ω
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
RoHS
Largeur
6.6 mm
Taille
2.4mm
Longueur
10.1mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 618,30
€ 1,047 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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TO-252
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Normes/homologations
RoHS
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6.6 mm
Taille
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