MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
338mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15.3nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
6.6mm
Taille
2.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
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€ 2 425,71
€ 0,97 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15.3nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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