MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 17 A Enrichissement 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
250V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
165mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Largeur
6.2 mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 704,38
€ 0,682 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 704,38
€ 0,682 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
250V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
165mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Largeur
6.2 mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.