Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, D-PAK 18 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D-PAK
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
90 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.6mm
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-50 °C
Taille
2.4mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, discontinus
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D-PAK
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
90 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.6mm
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-50 °C
Taille
2.4mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, discontinus
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.