Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 264,36
€ 0,506 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 264,36
€ 0,506 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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