MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 18 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.4mm
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 421,57
€ 0,969 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
Résistance Drain Source maximum
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
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1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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